以氧化鋅為主要原材料經高溫燒制而成的半導體電阻器，用於線路上產生瞬間過電壓和靜電場的輻射的防護。
特徵
1 SMD型適用于高密度安裝；流容量和能量耐量
2 雙向對稱非線性V-I限壓曲線；
3 優異的限壓比和快速回應時間（<0.5ns）；
4 較高的耐受衝擊能力以及性能穩定性；
5 優秀的可焊性（Ni，Sn鍍層）。
應用
?高速資料線（如HDMI、USB 3.0、IEEE 1394介面、射頻天線、射頻模組）的ESD保護；
?視頻和音訊線I / O埠的ESD保護；
?IC和電晶體的瞬態電壓保護，用於移動通信、電腦/ EDP、LCD模組、手持/可擕式設備、PDA等。
產品參數
類別 | 尺寸 L×W×T（mm） | 最大工作電壓 VDC（V） | 電容量 @1MHz（pF） | 最大浪涌電流 Ip@8/20μs（A） |
QV0201*E | 0.60×0.30×0.30 | 5.5～9 | 0.1～80 | 1～10 |
QV0402*E | 1.00×0.50×0.50 | 5.5～30 | 0.1～230 | 1～20 |
QV0603*E | 1.60×0.80×0.80 | 5.5～30 | 0.1～820 | 1～30 |
QV0805*E | 2.00×1.25×0.85 | 5.5～38 | 20～2000 | 3～150 |
.png)